京东方华灿光电申请改善光效的发光二极管及其制备方法专利，提升发光二极管的发光效果_资讯

京东方华灿光电申请改善光效的发光二极管及其制备方法专利，提升发光二极管的发光效果

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2026-06-24 21:01:39

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“改善光效的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN122269896A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述有源层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子垒层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层包括掺杂Mg的GaN，所述第二子层包括AlGaN层。本公开实施例能改善载流子注入效率低的问题，提升发光二极管的发光效果。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目100次，专利信息632条，此外企业还拥有行政许可51个。

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来源：市场资讯

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