矽普半导体取得低导通电阻的SJ MOSFET器件专利，降低了导通电阻
创始人
2026-05-31 04:08:12
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国家知识产权局信息显示，合肥矽普半导体科技有限公司取得一项名为“低导通电阻的SJ MOSFET器件”的专利，授权公告号CN224306191U，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种低导通电阻的SJ MOSFET器件，包括：外延层，外延层纵向设有至少两第一导电类型柱和至少一第二导电类型柱，第一导电类型柱和第二导电类型柱间隔排列；至少两栅沟槽，栅沟槽分别位于外延层上且对应位于第一导电类型柱上部；至少两个连接孔，至少两个连接孔间隔位于两栅沟槽之间。本实用新型的低导通电阻的SJ MOSFET器件在栅沟槽之间设有多根连接孔，能够减小栅沟槽与连接孔之间的距离，降低了导通电阻，提升器件的可靠性。
天眼查资料显示，合肥矽普半导体科技有限公司，成立于2020年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本568.1818万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥矽普半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可2个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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