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立德电控申请碳化硅MOS模块开关损耗优化方法及系统专利，实现开关损耗最小化

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2026-08-15 09:31:27

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国家知识产权局信息显示，深圳市立德电控科技有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOS模块开关损耗优化方法及系统”的专利，公开号CN122577577A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明涉及开关损耗优化技术领域，尤其涉及一种碳化硅MOS模块开关损耗优化方法及系统。所述方法包括以下步骤：采集碳化硅MOS模块的开关瞬态损耗数据与栅极振荡特征数据并进行特征融合，生成开关瞬态行为特征集；基于开关瞬态行为特征集分析对不同开关阶段损耗的影响权重，生成驱动参数与损耗的映射关系图谱；构建多目标优化模型并进行求解；根据多目标优化模型的求解结果，实时自适应地调节并输出栅极驱动参数优化指令；将栅极驱动参数优化指令施加于驱动电路，在满足预设电磁干扰阈值的前提下，实现开关损耗的最小化，并同步更新开关瞬态行为特征集，形成闭环优化。本发明能够提升最优参数组合的求解效率，并实现开关损耗最小化。

天眼查资料显示，深圳市立德电控科技有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事机动车、电子产品和日用产品修理业为主的企业。企业注册资本650万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市立德电控科技有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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