索尼申请半导体存储装置专利，电容器具有层叠结构
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2026-05-30 08:54:03
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN122123134A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，半导体存储装置包括半导体基板、电容器和第一绝缘膜。半导体基板包括薄膜晶体管并且沿着第一表面延伸。电容器设置在半导体基板上并且与薄膜晶体管耦合。电容器具有在与第一表面相交的第一方向上凹陷的孔。第一绝缘膜设置在电容器的孔中。电容器具有层叠结构，在该层叠结构中，具有第一凹陷的第一电极膜、沿着第一凹陷的内表面设置并具有第二凹陷的铁电膜、以及沿着第二凹陷的内表面设置并具有第三凹陷的第二电极膜在与孔的内表面相交的方向上层叠。
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