力晶积成申请电容耦合等离子体蚀刻机台专利，提升等离子体产生效率
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2026-05-27 21:35:51
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“电容耦合等离子体蚀刻机台及电容耦合等离子体蚀刻方法”的专利，公开号CN122091460A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种电容耦合等离子体蚀刻机台，包括蚀刻腔室、等离子体产生腔室、第一电极、第一梳状电极、第二梳状电极与第二电极。等离子体产生腔室位在蚀刻腔室上。第一电极、第一梳状电极、第二梳状电极与第二电极位在等离子体产生腔室中。第一电极位在第二电极上。第一梳状电极与第二梳状电极位在第一电极与第二电极之间。第一梳状电极包括多个第三电极。第二梳状电极包括多个第四电极。多个第三电极与多个第四电极交替排列。
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