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飞锃半导体申请一种半导体结构及其形成方法专利，用于模拟栅信号调节电路的工作情况并受到监测

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2026-05-27 01:44:24

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国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122094141A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基底，所述半导体基底表面形成有第一绝缘层；栅信号调节电路和虚拟电路，设置于所述第一绝缘层表面，所述栅信号调节电路和虚拟电路的结构完全相同；所述栅信号调节电路的一端连接栅信号源，另一端连接器件元胞栅极，所述栅信号调节电路用于调节所述栅信号源和器件元胞栅极之间的电阻；所述虚拟电路的一端连接虚拟栅极监测信号端，另一端连接虚拟栅极监测接地端，所述虚拟电路用于模拟所述栅信号调节电路的工作情况并受到监测。

天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法投资模拟电路监测半导体信号结构调节专利栅极虚拟电路

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