爱思开海力士申请半导体装置及制造方法专利，提升结构支撑稳定性
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2026-03-30 14:32:03
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN121751640A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：支撑结构，其包括彼此交替层叠的多个第一绝缘层和多个第二绝缘层；栅极结构，其包括导电层并且包括第一区段和第二区段，第一区段位于与支撑结构的高度相对应的高度，第二区段位于支撑结构上；接触插塞，其延伸穿过栅极结构并且连接到多个导电层中的第一导电层；以及第一支撑件，其包括在第一区段和支撑结构之间延伸并且延伸穿过第二区段的多个柱，以及从柱突出到支撑结构中的第一突起。
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来源：市场资讯
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