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物元半导体申请物理气相沉积设备及沉积方法专利，提高薄膜的成膜均匀性

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2026-03-28 22:51:16

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国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“物理气相沉积设备及沉积方法”的专利，公开号CN121737656A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种物理气相沉积设备及沉积方法，该设备包括：反应腔室；相对设置在反应腔室两端的靶材及晶圆，分别用于提供沉积材料及形成沉积材料层；若干个磁场发生装置，位于反应腔室内部并环绕反应腔室排布，用于在反应腔室的内部空间产生局部磁场；控制系统，连接至磁场发生装置，配置为控制磁场发生装置以调整反应腔室内部磁场的空间分布。本申请技术方案通过动态调整磁场发生装置的磁场强度和方向，优化等离子体分布，提高薄膜的成膜均匀性，尤其适用于大面积晶圆和结构复杂的沉积表面，减少了因厚度不均匀导致的器件性能问题，产品的使用寿命和使用性能均得以显著提升。

天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本68896.015万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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