青岛佳恩半导体取得GaN芯片双面散热模块封装结构专利，能够解决现有的GaN芯片封装存在的散热效率低下的问题_资讯

青岛佳恩半导体取得GaN芯片双面散热模块封装结构专利，能够解决现有的GaN芯片封装存在的散热效率低下的问题

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2026-03-28 22:51:48

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国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体有限公司取得一项名为“一种GaN芯片的双面散热模块封装结构”的专利，授权公告号CN224054778U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种GaN芯片的双面散热模块封装结构，属于模块封装技术领域，该GaN芯片的双面散热模块封装结构包括：散热基板、上导热盖板、侧壁支撑架、固定压紧组件和导热界面层；所述散热基板呈矩形平板状，上表面中部设有凹槽用于安装GaN芯片；所述上导热盖板呈矩形平板状且与所述散热基板平行设置，所述上导热盖板下表面中部设有凸台结构，所述凸台结构与所述散热基板上的凹槽相对应；所述侧壁支撑架环绕在所述散热基板与所述上导热盖板之间形成封闭腔体；所述固定压紧组件包括四根螺柱和四个压紧弹簧；本实用新型能够解决现有的GaN芯片封装存在的散热效率低下的问题。

天眼查资料显示，青岛佳恩半导体有限公司，成立于2015年，位于青岛市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本534.4165万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资半导体散热盖板芯片模块青岛结构专利 GaN 基板

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