三安半导体申请一种发光二极管及发光装置专利，有利于提高发光二极管的光效_资讯

三安半导体申请一种发光二极管及发光装置专利，有利于提高发光二极管的光效

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2026-03-27 19:08:09

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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121751844A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管通过将除导电孔之外的半导体叠层对应的区域的金属保护层，设置为具有至少一个间断区域的结构，且间断区域不含金属保护层的金属，使得金属保护层的张应力在反射层上具有应力截止区，金属保护层的张应力未作用在整个反射层的膜层上，金属保护层的张应力未完全抵消反射层的压应力，反射层在压应力的作用下，其两侧向半导体叠层一侧收缩，中间向金属保护层一侧凸出，反射层形成的上述结构，有利于提高反射率，有利于光束汇聚，有利于提高发光二极管的光效。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可406个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示科技投资泉州导体应力反射层专利金属保护层张应力二极管

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