南京芯视界申请单光子雪崩二极管探测器及其制备方法专利，有效改善成像质量和生产制造良率_资讯

南京芯视界申请单光子雪崩二极管探测器及其制备方法专利，有效改善成像质量和生产制造良率

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2026-03-27 19:08:36

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国家知识产权局信息显示，南京芯视界微电子科技有限公司申请一项名为“一种单光子雪崩二极管探测器及其制备方法”的专利，公开号CN121751791A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种单光子雪崩二极管探测器及其制备方法。该方法包括：在刻蚀完所述单光子雪崩二极管单元阵列的每个相邻的单光子雪崩二极管单元之间的深沟槽后，在所述深沟槽表面依次生长第一缓冲层、氧化铪层、氧化铝层、氧化钽层、第二缓冲层、粘附层后，在所述深沟槽内填满金属层进行表面平坦化，得到单光子雪崩二极管探测器。可以有效减少金属离子扩散到器件工作区的离子浓度，改善了因为离子污染而导致像素反馈错误的时间和距离信息的可能，进而有效地改善了成像质量和生产制造良率。

天眼查资料显示，南京芯视界微电子科技有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本229.043713万人民币。通过天眼查大数据分析，南京芯视界微电子科技有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业成像投资信息视界申请单良率光子雪崩二极管深沟槽探测器

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