台亚半导体申请发光元件及其制造方法专利，提高发光元件的电流局限效果
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2026-03-26 00:49:40
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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光元件及其制造方法”的专利，公开号CN121726840A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及发光元件及其制造方法，发光元件包含一外延层、一第一接触电极、一肖特基界面、一第一金属垫、一第二接触电极以及一第二金属垫。外延层具有一沟槽，将外延层纵向分割为彼此分离的一第一区域及一第二区域。第一接触电极设置于外延层之上，且包含一开孔，电性连接第一区域的上表面，其中第一区域于开孔以下具有一电流局限区。肖特基界面设置于电流局限区外围的第一区域的上表面，与部分的第一接触电极间形成一肖特基势垒。第一金属垫设置于外延层的第二区域之下，且纵向延伸而电性连接第一接触电极。第二接触电极设置于外延层之上，电性连接第二区域的上表面。第二金属垫设置于外延层的第一区域之下，且纵向延伸而电性连接第二接触电极。
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