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台亚半导体申请发光元件及其制造方法专利，提高发光元件的电流局限效果

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2026-03-26 00:49:40

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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光元件及其制造方法”的专利，公开号CN121726840A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及发光元件及其制造方法，发光元件包含一外延层、一第一接触电极、一肖特基界面、一第一金属垫、一第二接触电极以及一第二金属垫。外延层具有一沟槽，将外延层纵向分割为彼此分离的一第一区域及一第二区域。第一接触电极设置于外延层之上，且包含一开孔，电性连接第一区域的上表面，其中第一区域于开孔以下具有一电流局限区。肖特基界面设置于电流局限区外围的第一区域的上表面，与部分的第一接触电极间形成一肖特基势垒。第一金属垫设置于外延层的第二区域之下，且纵向延伸而电性连接第一接触电极。第二接触电极设置于外延层之上，电性连接第二区域的上表面。第二金属垫设置于外延层的第一区域之下，且纵向延伸而电性连接第二接触电极。

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来源：市场资讯

制造台亚电极电流投资肖特基元件外延导体区域金属垫外延层电性发光元件

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