国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“背照式图像传感器及其制作方法”的专利,公开号CN121692821A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本申请提供一种背照式图像传感器及其制作方法。该背照式图像传感器包括:第一基板,包括正面和背面;感光区,从第一基板正面形成于第一基板,感光区包括第一感光区、第二感光区和第三感光区;光吸收区,为第一基板背面与感光区之间的第一基板,光吸收区包括具有第一厚度的第一光吸收区、具有第二厚度的第二光吸收区和具有第三厚度的第三光吸收区,分别对应第一感光区、第二感光区和第三感光区;第一厚度、第二厚度、第三厚度依次减小以吸收不同颜色的光,第一厚度、第二厚度、第三厚度依次为位于光吸收区的第一基板背面与感光区之间的垂直距离,从而使得该背照式图像传感器可以吸收不同颜色的光,进而无需彩色滤光片即可实现色彩分离。
天眼查资料显示,武汉新芯集成电路股份有限公司,成立于2006年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目223次,财产线索方面有商标信息67条,专利信息1846条,此外企业还拥有行政许可106个。
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来源:市场资讯