韦尔股份取得一种MOSFET版图及MOSFET器件专利，对栅极接触电阻有减小的作用_资讯

韦尔股份取得一种MOSFET版图及MOSFET器件专利，对栅极接触电阻有减小的作用

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2026-03-18 03:30:35

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国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种MOSFET版图及MOSFET器件”的专利，授权公告号CN224006997U，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种MOSFET版图及MOSFET器件，通过在每个所述第一沟槽区中设置有两个间隔设置的栅极接触孔区，通过优化版图，即调整栅极多晶硅接触孔的数目和尺寸，改善栅极接触孔的位置，采用对称的结构，避免接触孔偏移至中间最凹位置，导致接触不良，增加栅极接触面积，对栅极接触电阻有减小的作用。

天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了46家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息204条，此外企业还拥有行政许可15个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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