台亚半导体申请发光二极管及其制造方法专利，与反射镜层间形成欧姆接触
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2026-03-13 01:17:26
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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制造方法”的专利，公开号CN121646060A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包含一基板、一反射镜层、一外延复合层及多个导电栓。其中反射镜层设置于基板上，外延复合层具有一四元化合物半导体层，四元化合物半导体层直接接触并电性连接反射镜层，且四元化合物半导体层与反射镜层间无介电材料。多个导电栓合金扩散于四元化合物半导体层中且不突出于四元化合物半导体层的上表面，并与反射镜层间形成欧姆接触。
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