美光科技申请存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法专利，形成导电单晶覆盖物以电耦合数字线和存储元件_资讯

美光科技申请存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法专利，形成导电单晶覆盖物以电耦合数字线和存储元件

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2026-03-12 10:57:13

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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN121645889A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。一种方法包含形成支柱，支柱从衬底向上突出且包括导电掺杂单晶半导电材料。支柱包括正在形成的存储器电路系统的个别存储器单元的晶体管的一个源极/漏极区抑或另一源极/漏极区。从支柱的顶部及侧壁生长导电掺杂单晶半导体材料以形成导电单晶覆盖物，导电单晶覆盖物个别地位于个别支柱的顶部正上方且圆周围绕个别支柱的侧壁。形成数字线，数字线个别地位于另一源极/漏极区的多个个别支柱上方并通过位于多个个别支柱正上方的外延生长的导电单晶覆盖物直接电耦合到多个个别支柱。形成存储元件以使其位于一个源极/漏极区的个别支柱上方并通过位于个别支柱正上方的外延生长的导电单晶覆盖物电耦合到个别支柱。公开结构。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示导电投资存储器单晶数字耦合支柱专利电路漏极区

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