南亚科技申请包括熔丝的半导体元件及其制备方法专利，本公开提供一种半导体元件及其制备方法
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2026-03-07 20:48:52
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括熔丝的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN121620199A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一熔丝金属、一掺杂结构、一第一介电层、一第二介电层以及二掺杂部。该第一介电层沿着一第一方向延伸且设置在该熔丝金属上方。该第一介电层包括用于容纳该熔丝金属的一第一凹陷结构。该掺杂结构形成在该第一介电层上方且沿着垂直于该第一方向的一第二方向延伸。该第二介电层沿着该第一方向延伸且设置在该掺杂结构上方。该等掺杂部邻近该掺杂结构的二侧表面，且该等掺杂部与该第一介电层和该第二介电层间隔开。
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