华润微电子申请半导体器件及其制造方法专利，实现电荷补偿_资讯

华润微电子申请半导体器件及其制造方法专利，实现电荷补偿

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2026-03-07 19:56:50

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国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121619903A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底，基底中形成有体区、源区和柱状掺杂区，柱状掺杂区的顶部低于体区的底部，柱状掺杂区至少包括第一柱状掺杂区；形成于基底的第一表面的第一沟槽和第二沟槽；包围第一沟槽底部的第一屏蔽区和包围第二沟槽底部的第二屏蔽区，第一屏蔽区的底部连接第一柱状掺杂区的顶部，第二屏蔽区的底部连接第二柱状掺杂区的顶部；位于第一沟槽和第二沟槽一侧的侧壁的鳍状栅极；覆盖鳍状栅极的层间介电层；源极接触层，与源区的顶部、以及第一沟槽和第二沟槽内壁相接触。该器件能够实现电荷补偿，降低沟道电阻，提高栅极介电层的可靠性。

天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2776次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可189个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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