威比特纳米技术申请OxRAM电阻式存储单元专利，在活性材料层中产生氧空位
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2026-03-07 14:16:21
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国家知识产权局信息显示，原子能和能源替代品委员会;威比特纳米技术有限公司申请一项名为“OxRAM电阻式存储单元及相关制造方法”的专利，公开号CN121621043A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开涉及OxRAM电阻式存储单元(1)，其包含第一电极(2)、第二电极(3)以及在第一电极(2)与第二电极(3)之间延伸的活性层(4)。其中，所述活性层(4)包含介电氧化物层(12)和活性材料层(10)，所述介电氧化物层(12)设置在所述活性材料层(10)上，并且所述介电氧化物层(12)和所述活性材料层(10)掺杂有掺杂元素。并且，其中所述第二电极(3)包含与所述活性层(4)接触的第一导电层(20)，该导电层被选择以在所述活性材料层(10)中产生氧空位，以及设置在所述第一导电层(20)上的第二导电层(22)。还公开了一种制造这种存储单元(1)的方法。
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