中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件的制作良率_资讯

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件的制作良率

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2026-03-06 18:46:54

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121619944A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个半导体鳍，所述基底包括器件区以及位于器件区之间的隔离区；形成横跨所述多个半导体鳍的多个伪栅；在伪栅露出的半导体鳍中形成源漏掺杂层；去除隔离区的源漏掺杂层以及位于源漏掺杂层下方的半导体鳍，形成鳍切沟槽；在所述鳍切沟槽中填充介质材料，形成第一隔断扩散结构，所述介质材料还覆盖所述源漏掺杂层，形成层间介质层；去除位于层间介质层中的伪栅，在伪栅位置处形成栅极结构；去除鳍切沟槽相邻的栅极结构，形成隔离扩散槽；在所述隔离扩散槽中形成第二隔断扩散结构。本发明实施例有利于提高半导体器件的制作良率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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