长微科技取得抗浪涌电流的中低压MOS芯片布局结构专利，优化空间布局降低MOS芯片抗浪涌电路走线设计的难度_资讯

长微科技取得抗浪涌电流的中低压MOS芯片布局结构专利，优化空间布局降低MOS芯片抗浪涌电路走线设计的难度

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2026-07-03 14:25:05

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国家知识产权局信息显示，深圳长微科技半导体有限公司取得一项名为“抗浪涌电流的中低压MOS芯片布局结构”的专利，授权公告号CN224439536U，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本实用新型公开了抗浪涌电流的中低压MOS芯片布局结构，包括基板、焊接在基板上表面的控制芯片以及MOS管，所述MOS管的顶部罩有散热件，所述散热件的一侧设置有能够将MOS管向散热件抵紧的抵紧结构，所述散热件的两侧设置有能够避免散热件与MOS芯片内的抗浪涌元器件产生位置干涉同时为MOS管提供支撑的延长座；本实用新型通过优化空间布局降低MOS芯片抗浪涌电路走线设计的难度，延长座将散热件的焊接位置延伸至基板元器件非密集区，避免MOS管的散热件与抗浪涌的关键元器件产生空间干涉，对MOS管附近的空间占用面积小；MOS管散热件允许MOS管以及其他元器件焊接完成后再焊接，不干涉其他元器件的焊接空间。

天眼查资料显示，深圳长微科技半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳长微科技半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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