中科彼岸申请通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法专利，可解决三维堆叠芯片器件高密度层间互联的问题_资讯

中科彼岸申请通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法专利，可解决三维堆叠芯片器件高密度层间互联的问题

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2026-03-06 18:45:57

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国家知识产权局信息显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请一项名为“一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法”的专利，公开号CN121620190A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法，包括：提供至少两层待堆叠的多层芯片，每层芯片包括功能结构、第一易结合层和/或第二易结合层；其中，至少一层芯片还包括牺牲层和连接孔；将多层芯片按功能要求对准、堆叠并键合，形成堆叠芯片；采用第一掩膜版对所述堆叠后的多层芯片进行光刻，并利用第一刻蚀材料进行刻蚀，形成贯穿至少部分芯片层的超深孔；采用第二刻蚀材料刻蚀所述牺牲层，形成能覆盖所述连接孔的空腔；淀积和/或生长材料，通过所述填充超深孔形成功能结构与外部的连接。本发明通过与超薄减薄层堆叠技术的结合，可解决三维堆叠芯片器件高密度层间互联的问题；同时，还具有有效克服颗粒污染、提升芯片可制造性等优点。

天眼查资料显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本105.44216万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科彼岸集成电路科技有限公司专利信息12条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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