鑫华半导体申请低表面缺陷厚膜碳化硅外延片专利，外延片表面质量高、缺陷少_资讯

鑫华半导体申请低表面缺陷厚膜碳化硅外延片专利，外延片表面质量高、缺陷少

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2026-02-18 13:42:49

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国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用”的专利，公开号CN121548233A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体材料技术领域，公开了低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用。该低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片的制备方法包括：对碳化硅衬底进行表面刻蚀，得到第一碳化硅衬底；在所述第一碳化硅衬底上气相沉积碳化硅层，得到碳化硅外延片前体；在1600℃~1700℃下对所述碳化硅外延片前体进行气相抛光处理，得到碳化硅外延片。通过该制备方法得到的碳化硅外延片表面质量高、缺陷少。

天眼查资料显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本148571.4288万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鑫华半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目125次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息215条，此外企业还拥有行政许可51个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法鑫华缺陷投资半导体外延表面碳化硅专利厚膜衬底延片

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