智诚尚芯申请高压增强型GaN功率器件专利，提高器件的击穿电压
创始人
2026-07-05 11:54:18
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国家知识产权局信息显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司申请一项名为“一种高压增强型GaN功率器件”的专利，公开号CN122340874A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高压增强型GaN功率器件，涉及电力电子器件技术领域，包括：基体，所述基体包括GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述GaN沟道层和AlGaN势垒层形成异质结以产生二维电子气沟道；源极和漏极，沿第一方向间隔设置于所述AlGaN势垒层上，并通过二维电子气沟道电气连接；p型半导体结构，设置于所述AlGaN势垒层上并位于所述源极和漏极之间，所述p型半导体结构包括厚pGaN层和网格状薄p型GaN层，所述网格状薄p型GaN层由多个相互连接的p型条构成网状图案。本发明与普通的条状结构相比，网格状的极化超结结构，引入类场限环的电场分压，降低曲率效应，提高器件的击穿电压，网格状的极化超结结构可以提高器件的过载浪涌能力。
天眼查资料显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司，成立于2023年，位于马鞍山市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息9条。
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来源：市场资讯
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