芯粤能申请集成鳍式结构元胞结构专利，能够有效地提升器件的沟道迁移率并缩小芯片面积_资讯

芯粤能申请集成鳍式结构元胞结构专利，能够有效地提升器件的沟道迁移率并缩小芯片面积

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2026-02-18 13:42:21

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国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件”的专利，公开号CN121548078A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请涉及一种集成鳍式结构的元胞结构及其制备方法、SiC功率器件，结构包括：衬底；超结外延层，位于衬底的顶面上，包括两种导电类型不同的掺杂柱栅极结构，位于超结外延层远离衬底一侧，并沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；第一鳍式结构，位于相邻栅极结构之间的超结外延层内，包括第一基区、源区及屏蔽区；源区与屏蔽区经由第一鳍式结构的顶面，沿第一方向交替排列，第一基区设置于源区的正下方；第二鳍式结构，位于栅极结构远离第一鳍式结构的一侧；其中，第一鳍式结构位于第一导电类型的掺杂柱的正上方；栅极结构底面不低于屏蔽区，顶面低于第一鳍式结构、第二鳍式结构的顶面。能够有效地提升器件的沟道迁移率并缩小芯片面积。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息86条，此外企业还拥有行政许可100个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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