超晶晟锐光电申请改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度方法专利，显著降低红外探测器的暗电流
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2026-02-17 19:23:16
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国家知识产权局信息显示，浙江超晶晟锐光电有限公司申请一项名为“一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法”的专利，公开号CN121531818A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法，将待刻蚀的InAs/GaSb超晶格样品和至少一片固态含铟辅助源假片共同放置于刻蚀反应腔内进行刻蚀。本发明的方法无需改变现有主流的氯基干法刻蚀平台，仅需在腔室内增加固态含铟辅助源假片，不引入额外的复杂步骤，易于集成到现有生产线中；通过引入外部铟源来主动修饰侧壁，从根本上补偿了因材料本身差异导致的刻蚀不均匀性问题，效果优于单纯优化刻蚀参数，侧壁质量显著提升，显著降低了红外探测器的暗电流，提高了器件的可靠性和成品率。该方法适用于各种基于InAs/GaSb超晶格的红外探测器的台面刻蚀工艺，具有广泛的适用性。
天眼查资料显示，浙江超晶晟锐光电有限公司，成立于2017年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江超晶晟锐光电有限公司参与招投标项目14次，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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