鹏芯微申请半导体结构及其制造方法专利，提升PMOS器件性能_资讯

鹏芯微申请半导体结构及其制造方法专利，提升PMOS器件性能

创始人

2026-02-03 20:46:40

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121442753A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的层间电介质层，所述层间电介质层具有延伸到所述衬底的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽包括用于PMOS器件的第一沟槽；在所述第一沟槽的底部和侧壁上的电介质层；和在所述电介质层上的P型功函数层；在所述至少一个沟槽中形成第一N型功函数层；以及在形成所述第一N型功函数层后，在所述第一沟槽中依次形成阻挡层和PMOS器件的电极，其中，所述阻挡层中的元素包含钛、氮和硅。

天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息107条，此外企业还拥有行政许可215个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法投资沟槽器件深圳市导体结构型功专利半导体电介衬底质层

上一篇：北方华创申请半导体工艺设备进气组件专利，有利于提升清洗效果

下一篇：超导概念板块2月3日涨1.2%，东方钽业领涨，主力资金净流入14.6亿元

鹏芯微申请半导体结构及其制造方法专利，提升PMOS器件性能

相关内容

热门资讯