国家知识产权局信息显示,同和电子科技有限公司申请一项名为“光半导体元件及其制造方法”的专利,公开号CN121444631A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,改善光半导体元件的特性。本发明的光半导体元件具有:收发光波长为第1波长的第1活性层、第1活性层上的隧道结层、以及隧道结层上的收发光波长为第2波长的第2活性层,第1活性层和第2活性层包含Sb,隧道结层具有p型InAs层和n型InAs层。
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