意法半导体申请基于氮化镓的集成双向开关功率器件专利，将衬底节点选择性地电耦合到处于最小电势的导电接触区_资讯

意法半导体申请基于氮化镓的集成双向开关功率器件专利，将衬底节点选择性地电耦合到处于最小电势的导电接触区

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2026-02-02 11:47:56

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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“基于氮化镓的集成双向开关功率器件”的专利，公开号CN121442762A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开涉及基于氮化镓的集成双向开关功率器件。一种基于氮化镓的集成双向开关功率器件被形成在管芯中，该管芯具有集成有第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的半导体本体。半导体本体具有半导体衬底和基于氮化镓的层堆叠体。层堆叠体叠置在衬底上，并且形成沟道区以及在沟道区上方以相互距离并排布置的第一栅极区和第二栅极区。衬底被电耦合到衬底节点。第一导电接触区和第二导电接触区在沟道区的相对侧以相互距离并排布置，并且衬底偏置RC网络被配置为将衬底节点选择性地电耦合到处于最小电势的第一导电接触区和第二导电接触区。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示导电投资器件开关集成导体耦合地电接触区衬底氮化镓沟道区

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