江苏第三代半导体研究院申请氮化铝复合衬底制备方法专利，能够制备高质量的氮化铝复合衬底_资讯

江苏第三代半导体研究院申请氮化铝复合衬底制备方法专利，能够制备高质量的氮化铝复合衬底

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2026-02-02 11:49:07

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121442968A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件。该制备方法包括如下步骤：在异质衬底上依次形成牺牲层与氮化铝外延层；通过键合胶在氮化铝外延层上临时键合支撑衬底，得到第一键合结构；解离牺牲层使第一键合结构的异质衬底与氮化铝外延层分离，得到露出氮化铝外延层的第一分离面的第二键合结构；在氮化铝外延层的第一分离面上键合多晶氮化铝陶瓷基板，得到第三键合结构；解离键合胶使第三键合结构中的支撑衬底和氮化铝外延层分离，得到露出氮化铝外延层的第二分离面的第四键合结构；在氮化铝外延层的第二分离面生长氮化铝单晶晶圆，得到氮化铝复合衬底。通过采用本方案，能够制备高质量的氮化铝复合衬底。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息396条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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