甬矽半导体取得顶升机构及贴片封装设备专利，解决顶针刺穿蓝膜留下印痕和裂纹问题_资讯

甬矽半导体取得顶升机构及贴片封装设备专利，解决顶针刺穿蓝膜留下印痕和裂纹问题

创始人

2026-01-31 22:43:40

0次

国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司取得一项名为“顶升机构及贴片封装设备”的专利，授权公告号CN223859645U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开一种顶升机构及贴片封装设备，涉及半导体设备技术领域。该顶升机构包括外壳、固定设置于外壳顶部的顶针帽、活动设置于外壳内的升降台、以及固定设置于升降台上的顶针，外壳内设置有气流通道，顶针帽上设置有吸附孔，吸附孔通过气流通道与真空机构连通，顶针穿设于吸附孔内；其中，蓝膜设置于顶针帽上，吸附孔在真空机构提供的负压作用下吸附蓝膜，升降台相对外壳运动，带动顶针经由吸附孔伸出至顶针帽外，并通过顶针顶起蓝膜，以使贴合设置于蓝膜上的芯片与蓝膜能够分离，升降台顶部设置有限位凸起，限位凸起用于对升降台相对外壳的运动限位。该顶升机构能够解决现有的顶针行程过长造成顶针刺穿蓝膜在芯片背面留下顶针印和裂纹的问题。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息256条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

顶针贴片投资半导体吸附机构裂纹设备专利印痕顶针帽外壳蓝膜

上一篇：新微半导体申请基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法专利，能够降低栅极漏电

下一篇：科芯半导体申请用于SiC晶体生长炉的平整保持装置专利，实现大尺寸、高质量SiC晶体的高效稳定生长

甬矽半导体取得顶升机构及贴片封装设备专利，解决顶针刺穿蓝膜留下印痕和裂纹问题

相关内容

热门资讯