科芯半导体申请用于SiC晶体生长炉的平整保持装置专利，实现大尺寸、高质量SiC晶体的高效稳定生长_资讯

科芯半导体申请用于SiC晶体生长炉的平整保持装置专利，实现大尺寸、高质量SiC晶体的高效稳定生长

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2026-01-31 22:44:00

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国家知识产权局信息显示，科芯半导体科技（凉山州）有限公司申请一项名为“一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置”的专利，公开号CN121428650A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置，包括处理单元、石墨坩埚以及设置于石墨坩埚竖向底面的姿态调节机构。石墨坩埚连接有氩气腔以实现内部封闭环境的压力平衡；处理单元基于石墨坩埚测温孔检测数据与内部温度场、自然对流场模拟结果，通过姿态调节机构调整石墨坩埚姿态以维持碳化硅原料至籽晶之间的轴向温度梯度均匀。本装置可实时抵消温度场畸变与自然对流干扰，使石墨坩埚内部形成轴向梯度均匀、径向温差微小、对流场轴对称的理想生长环境，确保碳化硅气相组分沿原料至籽晶轴向定向、均匀输运，从根源上抑制微管、位错等缺陷，实现大尺寸、高质量SiC晶体的高效稳定生长。

天眼查资料显示，科芯半导体科技（凉山州）有限公司，成立于2024年，位于凉山彝族自治州，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，科芯半导体科技（凉山州）有限公司参与招投标项目6次，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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