新微半导体申请基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法专利，能够降低栅极漏电_资讯

新微半导体申请基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法专利，能够降低栅极漏电

创始人

2026-01-31 22:43:35

0次

国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法”的专利，公开号CN121442726A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法，于P型GaN层中形成超晶格对插入层，超晶格对插入层包括交替层叠的第一子层和第二子层，第一子层和第二子层中的其中一层采用GaN层，另一层材质的禁带宽度大于3.4eV，通过设置超晶格对插入层，会在P型GaN层中形成电子势垒，能够阻挡电子在栅极结构中运动，从而降低栅极漏电，同时避免电子越过栅极结构轰击金属栅极，提升栅极可靠性；同时，鉴于超薄的超晶格材料，以及禁带宽度大于3.4eV的材质采用AlN、BN、AlGaN、InAlN或BGaN，与GaN基材料的介电常数非常接近，因此不会增加器件的栅极电容和阈值电压。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息135条，此外企业还拥有行政许可83个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示栅极投资上海器件电子增强型导体专利子层 P型GaN 超晶格

上一篇：苏州欣威晟电子科技申请用于半导体喷淋头的隔热耐腐蚀涂层专利，涂层具有优异的抗剥落性能

下一篇：甬矽半导体取得顶升机构及贴片封装设备专利，解决顶针刺穿蓝膜留下印痕和裂纹问题

新微半导体申请基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法专利，能够降低栅极漏电

相关内容

热门资讯