意法半导体申请电子器件的金属化结构及其制造方法专利，降低电阻以改善电信号的输送
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2026-01-31 20:12:19
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“电子器件的金属化结构及其制造方法”的专利，公开号CN121443056A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及电子器件的金属化结构及其制造方法。一种电子器件(例如，半导体封装、半导体器件、半导体管芯、半导体组件等)包括堆叠在非导电层上以限定穿过电子器件的电通路的金属化层或导电层，以及制造该电子器件的方法。金属化结构至少涉及形成金属化结构的均匀的导电通孔或金属通孔，并涉及通过本公开的金属化结构的一个或多个实施例降低电阻以改善电信号的输送。例如，金属化结构可以包括一个或多个金属化层或导电层以及一个或多个非导电层，它们堆叠在彼此上，以提供具有降低的电阻的电通路，从而改善金属化结构的电性能。
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