英特尔申请包括端射天线阵列的半导体封装专利,半导体封装的层堆叠包括形成端射天线阵列的多个天线元件
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2026-01-29 15:13:39
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国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“包括端射天线阵列的半导体封装”的专利,公开号CN121420424A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,提供了包括层堆叠的半导体封装。半导体封装的层堆叠包括:第一多个导电层,形成端射天线阵列的多个天线元件,其中,每个天线元件被配置用于第一极化和第二极化;以及与第一多个导电层相邻的至少一个导电信号布线层,导电信号布线层包括用于第一极化的第一布线迹线和用于第二极化的第二布线迹线。

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来源:市场资讯

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