芯恩申请半导体结构制作方法专利，有效缩短批次循环时间_资讯

芯恩申请半导体结构制作方法专利，有效缩短批次循环时间

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2026-01-29 09:11:54

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国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN121419615A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制作方法，其将光阻层的图形转移至硬掩膜层中的刻蚀过程包括依次进行的主刻蚀阶段、第一过刻蚀阶段与第二过刻蚀阶段，第二过刻蚀阶段包括干法刻蚀衬底第二预设时间以在硬掩膜层开口的侧壁与衬底上表面之间的交界区域形成具有第一预设宽度的有源区凸起部，之后以硬掩膜层为遮蔽层刻蚀衬底得到的隔离沟槽的侧壁与硬掩膜层开口的侧壁之间的交界区域将形成具有第二预设宽度的有源区肩部结构，实现类似于硬掩膜层回拉的效果，使得最终STI顶部两侧的凹陷区位置远离有源区拐角。本发明由于采用干法刻蚀取代了湿法刻蚀来实现增大有源区肩部关键尺寸，可以有效缩短批次循环时间，并降低缺陷风险，且未明显增加深度负载效应。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目190次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息958条，此外企业还拥有行政许可56个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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