英发德坤申请改善PID的TOPCON电池正面钝化结构专利，提高开路电压以及短路电流_资讯

英发德坤申请改善PID的TOPCON电池正面钝化结构专利，提高开路电压以及短路电流

创始人

2026-01-28 18:47:35

0次

国家知识产权局信息显示，宜宾英发德坤科技有限公司申请一项名为“一种用于改善PID的TOPCON电池正面钝化结构”的专利，公开号CN121419391A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于改善PID的TOPCON电池正面钝化结构，涉及电池制备技术领域，包括N型硅基体，从内到外依次层叠有高厚度氧化铝钝化膜、超薄氮氧化硅膜、氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜，所述氮化硅膜层从内到外依次包括底层高折射氮化硅膜、次外层氮化硅膜和最外层氮化硅膜，所述氮氧化硅膜层从内到外依次包括底层氮氧化硅膜和外层氮氧化硅膜，所述底层高折射氮化硅膜的折射率为2.28~2.34，所述底层高折射氮化硅膜通过调整氮硅比控制折射率，氮硅比为1:3.3或1:3.5。该TOPCON电池正面钝化结构有效阻挡金属离子以及水气扩散进入PN结，有助于减少少数载流子复合损失，进而能够缓解PID导致的性能衰减，提高开路电压以及短路电流。

天眼查资料显示，宜宾英发德坤科技有限公司，成立于2023年，位于宜宾市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本208329.113924万人民币。通过天眼查大数据分析，宜宾英发德坤科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，专利信息66条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资电池底层折射率外层电压宜宾专利硅膜氮化硅膜层氮硅

上一篇：2026大功率稳压器厂家直供推荐及采购指南

下一篇：振华永光申请肖特基二极管低热阻表贴封装结构专利，实现低热阻封装

英发德坤申请改善PID的TOPCON电池正面钝化结构专利，提高开路电压以及短路电流

相关内容

热门资讯