爱思开海力士申请半导体装置和制造该半导体装置的方法专利，包括位于保护区域和接触区域之间的边界处的倾斜结构
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2026-04-08 15:06:50
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造该半导体装置的方法”的专利，公开号CN121815660A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种半导体装置包括：基板，其包括在第一方向上彼此间隔开的接触区域以及位于接触区域之间的保护区域；层叠物，其从保护区域延伸到接触区域，并且包括位于保护区域和接触区域之间的边界处的倾斜结构；贯通结构，其在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开并且延伸穿过倾斜结构；以及附加结构，其位于贯通结构之间并且延伸穿过倾斜结构。
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来源：市场资讯
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