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昇澜半导体申请压电振膜及其制备方法专利，能够提高MEMS器件的性能

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2026-01-28 17:42:40

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国家知识产权局信息显示，昇澜半导体（常州）有限公司申请一项名为“压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的MEMS器件”的专利，公开号CN121398444A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的MEMS器件，所述压电振膜包括基底以及依次设置在所述基底上的底电极、缓冲层、压电薄膜层以及顶电极，其特征在于，所述基底的参数满足如下条件中的至少一个：所述基底的杨氏模量小于硅的杨氏模量，所述基底的剪切模量小于硅的剪切模量，所述基底的断裂延伸率大于硅的断裂延伸率。本发明实施例提供的压电振膜中，所述基底为非硅基底，使得所述压电振膜抗机械载荷能力增大，并且基底作为从动层，无需大的驱动力即可引发振动，这使得所述压电振膜的振幅相较采用硅基底的压电振膜的振幅大，进而能够提高MEMS器件的性能。

天眼查资料显示，昇澜半导体（常州）有限公司，成立于2023年，位于常州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本379.953751万人民币。通过天眼查大数据分析，昇澜半导体（常州）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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