广州增芯申请半导体结构形成方法专利，提升导体结构的良率_资讯

广州增芯申请半导体结构形成方法专利，提升导体结构的良率

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2026-01-28 17:43:20

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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121376904A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一衬底，包括第一基底、第二基底和位于第一基底与第二基底之间的埋氧层；在第一基底内形成第一凹槽和初始第二凹槽，第一凹槽的底部暴露出埋氧层表面，第一凹槽的深度大于初始第二凹槽的深度，第一凹槽的宽度大于初始第二凹槽的宽度；采用循环工艺去除初始第二凹槽底部的第一基底，在第一基底内形成第二凹槽，循环工艺包括：对初始第二凹槽底部的第一基底进行氧化形成氧化层；去除氧化层；提供第二衬底，第二衬底内具有空腔；将第二衬底与第一衬底键合，第二衬底与第一基底相接，空腔与第一凹槽相连通，空腔与第二凹槽相连通。所述方法提升了导体结构的良率。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目52次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息198条，此外企业还拥有行政许可180个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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