截至2026年1月28日 13:35，科创芯片设计ETF易方达(589030)盘中换手33.38%，成交1.15亿元，市场交投活跃。截至1月27日，科创芯片设计ETF易方达(589030)近1周累计上涨8.63%。

截至1月27日，科创芯片设计ETF易方达(589030)近1周规模增长6792.78万元，近1周份额增长5400.00万份，实现显著增长。

资金流入方面，科创芯片设计ETF易方达(589030)近5个交易日内有3日资金净流入，合计“吸金”3279.37万元。

根据业内机构数据，2026年全球按容量(bit)计算的DRAM内存需求将同比增长23%，其中数据中心领域将增长28%，对整体增幅贡献(13%)超过半数。预计DRAM内存市场当前的这波行情将至少持续到2027年，因为晶圆厂的新建与扩建通常需要2-3年。

高盛在指出，自新年伊始，DDR5现货价格已出现大幅上涨，而 DDR4现货价格自2024年9月开始上涨，目前仍呈上升趋势。这意味着DRAM合约价格近期上涨动力强劲，原因是DDR5/DDR4 现货价格已经相较于合约价格产生了巨大溢价。高盛还预测，全球存储巨头三星今年的DRAM芯片平均定价将会每个季度环比增长，尤其是一季度增幅预计可达50%。

科创芯片设计ETF易方达(589030)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

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