长江存储申请具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法专利，存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路_资讯

长江存储申请具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法专利，存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路

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2026-01-28 15:11:07

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN121398005A，申请日期为2021年8月。

专利摘要显示，在某些方面中，一种三维（3D）存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。垂直晶体管中的在第二方向上的两个相邻垂直晶体管彼此镜像对称。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

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来源：市场资讯

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