晶越半导体申请碳化硅衬底清洗方法专利，有效解决边缘与中心区域的清洗一致性问题_资讯

晶越半导体申请碳化硅衬底清洗方法专利，有效解决边缘与中心区域的清洗一致性问题

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2026-01-12 20:09:35

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国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅衬底的清洗方法”的专利，公开号CN121310870A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底的清洗方法，包括以下步骤：（S.1）将待清洗的碳化硅衬底置于密闭清洗腔体内；（S.2）通过等离子体对衬底表面进行活化；（S.3）向腔体内通入含有氨基改性石墨烯量子点的气流，使所述量子点捕获表面杂质；（S.4）采用脉冲式能量源照射所述衬底表面，以使吸附了杂质的量子点从衬底表面脱附；（S.5）通入吹扫气体，将脱附的量子点和杂质排出所述腔体。本申请通过“等离子体活化‑纳米吸附‑脉冲激光脱附”的原位三步法协同作用，实现了对8英寸等大尺寸衬底表面杂质的高效且均匀的去除，有效解决了边缘与中心区域的清洗一致性问题。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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