中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的工作性能_资讯

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的工作性能

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2026-01-12 20:10:31

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121310844A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一电容区和第二电容区，基底上形成有下层介电层，第一电容区的下层介电层中形成有第一凹槽，第二电容区的下层介电层中形成有第二凹槽，第二凹槽的开口尺寸大于第一凹槽的开口尺寸；第一电极层，覆盖第一凹槽和第二凹槽的侧壁和底面、以及下层介电层部分顶面；第一介质层，覆盖第一电极层；第二电极层，覆盖第一介质层，且填充满第一凹槽；第二介质层，覆盖第二电极层；第三电极层，覆盖第二介质层，且填充满第二凹槽。本发明提高半导体结构的工作性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资中芯国际电容导体凹槽结构专利电容区中芯介质层极层

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