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华虹半导体申请闪存器件及其制备方法专利，提高了闪存器件的良率

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2026-01-03 16:10:57

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件及其制备方法”的专利，公开号CN121262830A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中在制备方法中，在离子注入形成位线离子注入区之后，去除第二沟槽中侧壁上的侧墙结构中最外侧的第三侧墙层和第二沟槽底壁的第一侧墙层，以得到第二沟槽侧壁上最终的第三侧墙结构，然后形成硅化物阻挡层，最后再去除第二沟槽中的硅化物阻挡层，本申请提前去除第二沟槽中侧壁上侧墙结构中最外侧的第三侧墙层，可以避免位线离子注入区上的第二沟槽被硅化物阻挡层提前封口，导致深沟槽中的硅化物阻挡层不能被彻底去除，从而导致位线离子注入区表面不能正常形成自对准金属硅化物层的情况，提高了闪存器件的良率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1961条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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