旺宏电子申请存储器元件专利，提供一种包含基板、缓冲层、栅极堆叠结构与通道柱的存储器元件_资讯

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2026-08-29 16:18:36

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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN122662209A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种存储器元件，包含基板、缓冲层、栅极堆叠结构与通道柱。缓冲层在基板上。栅极堆叠结构位于缓冲层上，其中栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个第一绝缘层。通道柱延伸穿过栅极堆叠结构并埋入缓冲层，其中通道柱包括电荷储存结构和通道层，电荷储存结构位于栅极层与通道层之间。

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来源：市场资讯

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