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一塔半导体取得金属化学气相沉积设备及其反应腔室专利，可以保证薄膜生长质量

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2026-01-02 20:39:16

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国家知识产权局信息显示，一塔半导体（安徽）有限公司取得一项名为“金属化学气相沉积设备及其反应腔室”的专利，授权公告号CN223752952U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种金属化学气相沉积设备及其反应腔室，包括：腔体，所述腔体内形成有容纳腔；腔盖，所述腔盖盖设在所述腔体上并与所述腔体围合形成所述容纳腔；晶圆承载装置，所述晶圆承载装置包括母盘和载片盘，所述母盘可转动地设于所述容纳腔内，多个所述载片盘可转动的呈圆周分布于所述母盘上，所述载片盘用于承载晶圆；反射件，所述反射件设于所述腔盖底部并与所述晶圆承载装置相对设置，所述反射件包括板体和反射膜，所述反射膜设于所述板体朝向所述母盘的一侧表面。根据本实用新型的金属化学气相沉积设备的反应腔室在板体上设置反射膜，反射膜可将晶圆承载装置散发的热量反射至母盘，从而可以保证薄膜生长质量以及提升能源利用效率。

天眼查资料显示，一塔半导体（安徽）有限公司，成立于2024年，位于合肥市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本613.33万人民币。通过天眼查大数据分析，一塔半导体（安徽）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息26条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业可以保证投资薄膜设备化学导体反应专利金属腔室反射膜母盘气相晶圆

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