美光科技申请包含锥形填充结构分层结构的半导体装置专利，锥形部分可在绝缘层端的对向表面之间
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2026-01-02 12:09:50
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“包含具有锥形填充结构的分层结构的半导体装置”的专利，公开号CN121240448A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及包含具有锥形填充结构的分层结构的半导体装置。本文中所描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施方案中，一种存储器装置包含竖直定向的接触支柱及接近所述竖直定向的接触支柱的分层结构。所述分层结构包含在两个绝缘层之间的存取线及绝缘填充结构。所述绝缘填充结构包含在所述竖直定向的接触支柱与所述存取线之间的锥形部分。所述锥形部分可在所述绝缘层的端的对向表面之间。
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