京东方华灿光电申请发光二极管及制作方法专利，保护电极包裹反光电极的侧壁及顶面_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管及制作方法专利，保护电极包裹反光电极的侧壁及顶面

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2026-01-02 11:08:46

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管的制作方法”的专利，公开号CN121240619A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构、一次电极、DBR层和二次电极；所述一次电极位于所述外延结构上，所述DBR层位于所述外延结构上且覆盖所述一次电极；所述二次电极包括反光电极和保护电极，所述反光电极穿过所述DBR层与所述一次电极连接，所述保护电极包裹所述反光电极的侧壁及顶面，且所述保护电极与所述DBR层接触并覆盖部分DBR层。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目44次，专利信息1034条，此外企业还拥有行政许可42个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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