国家知识产权局信息显示，比亚迪股份有限公司；比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器”的专利，公开号CN121240560A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种单光子雪崩二极管及其制备方法、阵列和图像传感器，属于显示技术领域。单光子雪崩二极管的外延层被设置为第一导电类型，外延层包括被设置为第二导电类型的第一接触区、第一阱区和第一阻挡环，以及被设置为第一导电类型的第二接触区，第一接触区和第二接触区均设置于第一表面。倍增结设置于第二接触区靠近第二表面的一侧。第一阱区设置于倍增结远离第一表面的一侧，沿平行于第一表面的第一方向，第一阱区包括超出倍增结的边缘部分。沿第一方向，第二接触区包括侧面，第一阻挡环至少围绕第二接触区的侧面，且第一表面暴露第一阻挡环，第一阻挡环的远离第一表面的端面与第一阱区相连。改善了时间抖动特性、提高了光子检测效率。

天眼查资料显示，比亚迪股份有限公司，成立于1995年，位于深圳市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本911719.7565万人民币。通过天眼查大数据分析，比亚迪股份有限公司共对外投资了108家企业，参与招投标项目1010次，财产线索方面有商标信息1820条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可154个。

比亚迪半导体股份有限公司，成立于2004年，位于深圳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本45621.8756万人民币。通过天眼查大数据分析，比亚迪半导体股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目511次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息1474条，此外企业还拥有行政许可109个。

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